大家好，晶界层电容器，关于晶界层电容器的简介很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

1、 晶界层电容器是以晶界为介质，而以充分半导电化的晶粒为电极的陶瓷电容器。由于晶界很薄，因此具有很高的显介电常数。70年代末进入批量生产的SrTiO3晶界层电容器，在工业水平介电常数>60 000，把常规瓷介质的相对介电常数提高数倍至十倍以上。

2、 晶界层电容器虽然有很高的相对介电常数，但在-30～+80℃范围内，电容变化率可控制在±40%内，电容器的可靠性也高，因此可制造超小型大容量电容器。

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